Технічний опис MPLAD6.5KP10CAE3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD, Packaging: Bulk, Package / Case: Nonstandard SMD, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 383A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V, Supplier Device Package: PLAD, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW), Power Line Protection: No.
Інші пропозиції MPLAD6.5KP10CAE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MPLAD6.5KP10CAE3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 383A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 15µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
MPLAD6.5KP10CAE3 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MPLAD6.5KP10CAE3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 383A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: PLAD Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
|
MPLAD6.5KP10CAE3 | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MPLAD6.5KP10CAE3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
MPLAD6.5KP10CAE3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 6.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 383A Semiconductor structure: bidirectional Case: PLAD Mounting: SMD Leakage current: 15µA |
товару немає в наявності |