MPS6519 TIN/LEAD Central Semiconductor
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.69 грн |
| 10+ | 51.49 грн |
| 100+ | 30.57 грн |
| 500+ | 25.55 грн |
| 1000+ | 22.39 грн |
| 2500+ | 18.94 грн |
| 10000+ | 18.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPS6519 TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції MPS6519 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MPS6519 TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.5 W |
товару немає в наявності |