Технічний опис MPS6652G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 1A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції MPS6652G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MPS6652G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 1A 625000mW 3-Pin TO-92 Box |
товару немає в наявності |
|
 |
MPS6652G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
MPS6652G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 30V PNP |
товару немає в наявності |