Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MPSA06RA
MPSA06RA

MPSA06RA ON Semiconductor

pzta06jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MPSA06RA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MPSA06RA за ціною від 5.36 грн до 40.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+7.61 грн
4000+6.66 грн
10000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.06 грн
4000+7.02 грн
6000+6.64 грн
10000+5.83 грн
14000+5.59 грн
20000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.16 грн
4000+7.14 грн
10000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 45191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.92 грн
17+20.42 грн
100+12.94 грн
500+9.10 грн
1000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : onsemi PZTA06-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 22498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.93 грн
16+22.91 грн
100+12.67 грн
500+9.45 грн
1000+8.50 грн
2000+6.61 грн
4000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000097582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.62 грн
36+24.90 грн
100+15.81 грн
500+10.99 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA Виробник : ONSEMI pzta06-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06-d.pdf
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.