MPSA06RA onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPSA06RA onsemi
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MPSA06RA за ціною від 6.34 грн до 37.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MPSA06RA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MPSA06RA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MPSA06RA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MPSA06RA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MPSA06RA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MPSA06RA | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 41272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MPSA06RA | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MPSA06RA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MPSA06RA |
|
на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.73 грн |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.73 грн |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 8.67 грн |
| 4000+ | 8.64 грн |
| 6000+ | 8.54 грн |
| 8000+ | 8.22 грн |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 9.24 грн |
| 4000+ | 7.73 грн |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 9.24 грн |
| 4000+ | 7.73 грн |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 41272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.10 грн |
| 16+ | 20.16 грн |
| 100+ | 12.80 грн |
| 500+ | 9.00 грн |
| 1000+ | 8.02 грн |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.10 грн |
| 15+ | 21.64 грн |
| 100+ | 11.98 грн |
| 500+ | 8.95 грн |
| 1000+ | 8.04 грн |
| 2000+ | 6.34 грн |
| MPSA06RA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 37.50 грн |
| 36+ | 22.94 грн |
| 100+ | 14.64 грн |
| 500+ | 10.16 грн |
| 1000+ | 8.39 грн |





