Продукція > ONSEMI > MPSA06RA
MPSA06RA

MPSA06RA onsemi

pzta06-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+7.53 грн
4000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MPSA06RA onsemi

Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MPSA06RA за ціною від 8.03 грн до 47.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MPSA06RA MPSA06RA ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.94 грн
4000+8.93 грн
6000+8.82 грн
8000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+29.07 грн
763+18.43 грн
1017+13.81 грн
1141+11.88 грн
2000+9.32 грн
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.64 грн
15+20.24 грн
100+12.81 грн
500+9.01 грн
1000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.67 грн
26+29.07 грн
100+18.43 грн
500+13.32 грн
1000+11.00 грн
2000+8.94 грн
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA onsemi pzta06-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA ONSEMI FAIR-S-A0000097582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06-d.pdf
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06jp-d.pdf
MPSA06RA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+8.94 грн
4000+8.93 грн
6000+8.82 грн
8000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06jp-d.pdf
MPSA06RA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
484+29.07 грн
763+18.43 грн
1017+13.81 грн
1141+11.88 грн
2000+9.32 грн
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06-d.pdf
MPSA06RA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 28432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.64 грн
15+20.24 грн
100+12.81 грн
500+9.01 грн
1000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06jp-d.pdf
MPSA06RA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.67 грн
26+29.07 грн
100+18.43 грн
500+13.32 грн
1000+11.00 грн
2000+8.94 грн
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06-d.pdf
MPSA06RA
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA FAIR-S-A0000097582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MPSA06RA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06-d.pdf
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.