MPSA06RA ON Semiconductor
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 5.69 грн |
| 4000+ | 5.63 грн |
| 6000+ | 5.58 грн |
| 10000+ | 5.33 грн |
| 14000+ | 4.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPSA06RA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MPSA06RA за ціною від 5.25 грн до 39.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MPSA06RA | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MPSA06RA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MPSA06RA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MPSA06RA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MPSA06RA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MPSA06RA |
|
на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
MPSA06RA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MPSA06RA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MPSA06RA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MPSA06RA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MPSA06RA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power |
товару немає в наявності |