MPSA06RA

MPSA06RA ON Semiconductor


pzta06jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MPSA06RA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MPSA06RA за ціною від 6.69 грн до 38.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+7.37 грн
4000+7.17 грн
6000+7.09 грн
8000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000097582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.62 грн
30+27.73 грн
100+17.25 грн
500+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA pzta06-d.pdf
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : ON Semiconductor pzta06jp-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : onsemi pzta06-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA06RA MPSA06RA Виробник : onsemi / Fairchild PZTA06_D-1814580.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.