Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR > MPSA13 TRE TIN/LEAD
MPSA13 TRE TIN/LEAD

MPSA13 TRE TIN/LEAD Central Semiconductor


Виробник: Central Semiconductor
Darlington Transistors 500mA,30V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.30 грн
10+52.28 грн
100+28.28 грн
500+19.55 грн
1000+16.41 грн
2000+14.11 грн
4000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MPSA13 TRE TIN/LEAD Central Semiconductor

Description: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: TO-92, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції MPSA13 TRE TIN/LEAD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MPSA13 TRE TIN/LEAD Central Semiconductor Corp Description: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA13 TRE TIN/LEAD
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 500MA 30V TH TRANSISTOR-SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.