MPSA18 TIN/LEAD Central Semiconductor
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.17 грн |
| 10+ | 59.17 грн |
| 100+ | 40.11 грн |
| 500+ | 33.94 грн |
| 1000+ | 29.06 грн |
| 2500+ | 24.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPSA18 TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 45V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції MPSA18 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MPSA18 TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 45V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |