MPSH10 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
на замовлення 12234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2427+ | 8.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPSH10 Fairchild Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz.
Інші пропозиції MPSH10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MPS-H10 |
на замовлення 316 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| MPSH10 | Виробник : ON |
07+; |
на замовлення 305 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MPSH10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 350000mW 3-Pin TO-92 Box |
товару немає в наявності |
|
| MPSH10 | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ Packaging: Box Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz |
товару немає в наявності |
||
 |
MPSH10 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|
|
|
MPSH10 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF/UHF NPN |
товару немає в наявності |