MPSH11 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPSH11 Fairchild Semiconductor
Description: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 650MHz.
Інші пропозиції MPSH11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MPSH11 | onsemi / Fairchild |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MPSH11 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MPSH11 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MPSH11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.