Технічний опис MPSH81
Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції MPSH81
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MPSH81 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MPSH81 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 600MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MPSH81 | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 600MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MPSH81 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |