MPSW06

MPSW06 onsemi


MPSW06.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 41000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 2219
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MPSW06 onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції MPSW06 за ціною від 9.89 грн до 9.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MPSW06 MPSW06 Виробник : ONSEMI ONSMS11002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPSW06 - MPSW06, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
824+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 824
MPSW06 MPSW06.pdf
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MPSW06 MPSW06 Виробник : onsemi MPSW06.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
MPSW06 MPSW06 Виробник : onsemi MPSW05_D-2316443.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W NPN
товар відсутній
MPSW06 Виробник : Diodes Incorporated MPSW06.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
MPSW06 Виробник : Welwyn Components / TT Electronics MPSW06.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній