Технічний опис MQ2N2609 Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 750 mV @ 1 µA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 5 V.
Інші пропозиції MQ2N2609
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MQ2N2609 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
MQ2N2609 | Виробник : Microchip Technology |
Description: JFET P-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 750 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
MQ2N2609 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |