MQ2N5116

MQ2N5116 Microchip Technology


LDS_0006_2N5114_16-3442562.pdf Виробник: Microchip Technology
JFETs JFET
на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4725.77 грн
100+4324.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MQ2N5116 Microchip Technology

Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18, Grade: Military, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 175 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 mA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V, Qualification: MIL-PRF-19500.

Інші пропозиції MQ2N5116

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MQ2N5116 MQ2N5116 Виробник : Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MQ2N5116 MQ2N5116 Виробник : Microchip Technology 124387-lds-0006.pdf Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 175 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 mA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MQ2N5116 MQ2N5116 Виробник : Microchip Technology / Atmel LDS_0006-1592455.pdf JFET JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.