MR751 Solid State Inc.
Виробник: Solid State Inc.
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A
Packaging: Box
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A
Packaging: Box
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 60.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MR751 Solid State Inc.
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A, Packaging: Box, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V.
Інші пропозиції MR751
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MR751 | Виробник : ON |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |