Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MR852G
MR852G

MR852G ON Semiconductor

MR850-D-80314.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Rectifiers 200V 3A Fast
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MR852G ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Supplier Device Package: Axial, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції MR852G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MR852G MR852G onsemi mr850-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MR852G mr850-d.pdf
MR852G
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.