Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MR852RLG
MR852RLG

MR852RLG ON Semiconductor

MR850-D-80314.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Rectifiers 200V 3A Fast
на замовлення 7341 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MR852RLG ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Інші пропозиції MR852RLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MR852RLG MR852RLG ON Semiconductor MR850-D_ONS.pdf Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 200, Io, А = 3, Uf (max), В = 1,25, If, A = 3, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 300, Тексп, °C = -65...+125, Темп.опір,°C/Вт = 28,... Діоди Корпус: DO-201AD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1200 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MR852RLG MR852RLG onsemi mr850-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MR852RLG MR852RLG onsemi mr850-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MR852RLG MR850-D_ONS.pdf
MR852RLG
Виробник: ON Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 200, Io, А = 3, Uf (max), В = 1,25, If, A = 3, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200, trr, нс = 300, Тексп, °C = -65...+125, Темп.опір,°C/Вт = 28,... Діоди Корпус: DO-201AD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1200 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MR852RLG mr850-d.pdf
MR852RLG
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MR852RLG mr850-d.pdf
MR852RLG
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.