MRF101BN NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1719.20 грн |
| 10+ | 1330.28 грн |
| 50+ | 1199.98 грн |
| 100+ | 1088.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF101BN NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRF101BN за ціною від 985.26 грн до 7360.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF101BN | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRF101BN | NXP |
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MRF101BN |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1744.31 грн |
| 10+ | 1244.66 грн |
| 100+ | 1008.47 грн |
| 500+ | 985.26 грн |
| MRF101BN |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7360.39 грн |
| 5+ | 6439.83 грн |
| 10+ | 5336.31 грн |
| 50+ | 4442.41 грн |