MRF101BN NXP Semiconductors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 1442.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF101BN NXP Semiconductors
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRF101BN за ціною від 1106.25 грн до 1996.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF101BN | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Current Rating (Amps): 10µA Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz Power - Output: 115W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF101BN | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF101BN | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRF101BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
MRF101BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |