Технічний опис MRF101BN NXP Semiconductors
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 182W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції MRF101BN за ціною від 1075.77 грн до 1699.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF101BN | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Current Rating (Amps): 10µA Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz Power - Output: 115W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRF101BN | NXP |
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 182W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
MRF101BN | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
MRF101BN | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF101BN |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1699.44 грн |
| 10+ | 1314.99 грн |
| 50+ | 1186.18 грн |
| 100+ | 1075.77 грн |
| MRF101BN |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MRF101BN |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MRF101BN |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)