MRF101BN

MRF101BN NXP USA Inc.


MRF101AN.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1705.74 грн
10+1319.88 грн
50+1190.59 грн
100+1079.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF101BN NXP USA Inc.

Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MRF101BN за ціною від 1098.26 грн до 1987.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF101BN MRF101BN Виробник : NXP 2718519.pdf Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1920.33 грн
5+1730.66 грн
10+1540.17 грн
50+1291.83 грн
100+1145.01 грн
250+1098.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF101BN MRF101BN Виробник : NXP Semiconductors MRF101AN-1510799.pdf RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1987.83 грн
10+1573.06 грн
25+1356.99 грн
50+1224.92 грн
100+1179.93 грн
250+1111.72 грн
500+1099.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF101BN MRF101BN Виробник : NXP Semiconductors mrf101an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF101BN MRF101BN Виробник : NXP Semiconductors prf101an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.