MRF1517NT1 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MRF1517NT1 - HF-FET-Transistor, 25 V, 4 A, 62.5 mW, 480 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5mW
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: 480MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5mW
Bauform - Transistor: PLD-1.5
Bauform - HF-Transistor: PLD-1.5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 707.65 грн |
| 10+ | 458.95 грн |
| 25+ | 404.25 грн |
| 100+ | 348.39 грн |
| 250+ | 306.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF1517NT1 NXP
Description: NXP - MRF1517NT1 - HF-FET-Transistor, 25 V, 4 A, 62.5 mW, 480 MHz, 520 MHz, PLD-1.5, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5mW, Betriebsfrequenz, max.: 520MHz, Betriebsfrequenz, min.: 480MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5mW, Bauform - Transistor: PLD-1.5, Bauform - HF-Transistor: PLD-1.5, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції MRF1517NT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF1517NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 25V 4A 4-Pin PLD-1.5 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
MRF1517NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Current Rating (Amps): 4A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 8W Gain: 14dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
|
|
|
MRF1517NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Current Rating (Amps): 4A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 8W Gain: 14dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
|
 |
MRF1517NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET PLD1.5N |
товару немає в наявності |