MRF1K50GNR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230G-4
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF1K50GNR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230G-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230G-4L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz, Power - Output: 1500W, Gain: 23dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230G-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 50 V, Voltage - Test: 50 V.
Інші пропозиції MRF1K50GNR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF1K50GNR5 | NXP |
Description: NXP - MRF1K50GNR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF1K50GNR5 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF1K50GNR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRF1K50GNR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)