MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 1.667kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Інші пропозиції MRF1K50HR5 за ціною від 20133.51 грн до 30355.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MRF1K50HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz Power - Output: 1500W Gain: 22.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 50 V |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MRF1K50HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
MRF1K50HR5 | NXP |
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 500MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 1.667kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MRF1K50HR5 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 27546.71 грн |
| 10+ | 22975.81 грн |
| 25+ | 22089.75 грн |
| MRF1K50HR5 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28906.63 грн |
| 10+ | 24679.64 грн |
| 25+ | 20633.53 грн |
| 50+ | 20133.51 грн |
| MRF1K50HR5 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30355.57 грн |
| 5+ | 29748.42 грн |




