MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-979A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz, Power - Output: 1500W, Gain: 22.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Part Status: Active, Voltage - Rated: 50 V.
Інші пропозиції MRF1K50HR5 за ціною від 22089.75 грн до 28799.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MRF1K50HR5 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
MRF1K50HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz Power - Output: 1500W Gain: 22.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 50 V |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| MRF1K50HR5 | NXP |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 135V; 36A; 1.667kW Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 135V Drain current: 36A Power dissipation: 1.667kW Gate-source voltage: ±10V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| MRF1K50HR5 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 25252.01 грн |
| MRF1K50HR5 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27546.71 грн |
| 10+ | 22975.81 грн |
| 25+ | 22089.75 грн |
| MRF1K50HR5 |
![]() |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 135V; 36A; 1.667kW
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 36A
Power dissipation: 1.667kW
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 135V; 36A; 1.667kW
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 36A
Power dissipation: 1.667kW
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 28799.24 грн |



