MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15433.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF1K50HR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRF1K50HR5 за ціною від 13301.32 грн до 19365.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF1K50HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MRF1K50HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz Power - Output: 1500W Gain: 22.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 50 V |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MRF1K50HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MRF1K50HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MRF1K50HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MRF1K50HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MRF1K50HR5 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 500MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |