Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > MRF1K50HR5
MRF1K50HR5

MRF1K50HR5 NXP Semiconductors

911mrf1k50h.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 135V 5-Pin NI-1230H T/R
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20786.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF1K50HR5 NXP Semiconductors

Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 1.667kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.

Інші пропозиції MRF1K50HR5 за ціною від 21835.84 грн до 27230.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 NXP USA Inc. MRF1K50H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+22127.50 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 NXP USA Inc. MRF1K50H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27230.08 грн
10+22711.72 грн
25+21835.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 NXP MRF1K50H.pdf Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50HR5 MRF1K50HR5 NXP Semiconductors MRF1K50H.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50HR5 MRF1K50H.pdf
MRF1K50HR5
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22127.50 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50HR5 MRF1K50H.pdf
MRF1K50HR5
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27230.08 грн
10+22711.72 грн
25+21835.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50HR5 MRF1K50H.pdf
MRF1K50HR5
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF1K50HR5 - HF-FET-Transistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50HR5 MRF1K50H.pdf
MRF1K50HR5
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.