Продукція > NXP USA INC. > MRF1K50NR5
MRF1K50NR5

MRF1K50NR5 NXP USA Inc.

MRF1K50N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+13168.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF1K50NR5 NXP USA Inc.

Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 2.941kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MRF1K50N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MRF1K50NR5 за ціною від 13891.99 грн до 24824.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF1K50NR5 MRF1K50NR5 NXP USA Inc. MRF1K50N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16504.45 грн
10+13891.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50NR5 MRF1K50NR5 NXP Semiconductors MRF1K50N.pdf RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+24812.51 грн
10+21477.82 грн
25+17938.65 грн
50+17465.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50NR5 MRF1K50NR5 NXP MRF1K50N.pdf Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 2.941kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MRF1K50N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24824.81 грн
5+24328.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50NR5 MRF1K50N.pdf
MRF1K50NR5
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+16504.45 грн
10+13891.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50NR5 MRF1K50N.pdf
MRF1K50NR5
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+24812.51 грн
10+21477.82 грн
25+17938.65 грн
50+17465.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF1K50NR5 MRF1K50N.pdf
MRF1K50NR5
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 2.941kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MRF1K50N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+24824.81 грн
5+24328.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.