MRF1K50NR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF1K50NR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 500MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 2.941kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: OM-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MRF1K50N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MRF1K50NR5 за ціною від 13732.31 грн до 23750.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRF1K50NR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz Power - Output: 1500W Gain: 23dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 50 V Voltage - Test: 50 V |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MRF1K50NR5 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case OM-1230 L T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MRF1K50NR5 | NXP |
Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 500MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 2.941kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: OM-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MRF1K50N productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
MRF1K50NR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF1K50NR5 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 500MHz
Power - Output: 1500W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 50 V
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 16314.74 грн |
| 10+ | 13732.31 грн |
| MRF1K50NR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case OM-1230 L T/R
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case OM-1230 L T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23750.50 грн |
| 5+ | 20991.60 грн |
| 10+ | 19672.13 грн |
| 25+ | 18391.21 грн |
| 50+ | 16386.30 грн |
| MRF1K50NR5 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 2.941kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MRF1K50N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NXP - MRF1K50NR5 - HF-FET-Transistor, 133 V, 2.941 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, OM-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 2.941kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: OM-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MRF1K50N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MRF1K50NR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)