MRF21010LSR1
Виробник:
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF21010LSR1
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI360, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-360S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.17GHz, Power - Output: 10W, Gain: 13.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-360S, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRF21010LSR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF21010LSR1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 13.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF21010LSR1 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI360
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-360S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 10W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI360
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-360S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 10W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.