Технічний опис MRF282SR1 MOTOROLA
Description: RF MOSFET LDMOS 26V NI200, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-200S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2GHz, Power - Output: 10W, Gain: 11.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-200S, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 26 V, Current - Test: 75 mA.
Інші пропозиції MRF282SR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF282SR1 | NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 26V NI200Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-200S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2GHz Power - Output: 10W Gain: 11.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-200S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 26 V Current - Test: 75 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF282SR1 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 26V NI200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-200S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-200S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 26 V
Current - Test: 75 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 26V NI200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-200S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-200S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 26 V
Current - Test: 75 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.