Технічний опис MRF282ZR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 26V NI200, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-200Z, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2GHz, Power - Output: 10W, Gain: 11.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-200Z, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 26 V, Current - Test: 75 mA.
Інші пропозиції MRF282ZR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF282ZR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 26V NI200Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-200Z Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2GHz Power - Output: 10W Gain: 11.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-200Z Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 26 V Current - Test: 75 mA |
товару немає в наявності |