MRF300AN NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 27MHz ~ 250MHz
Power - Output: 300W
Gain: 28dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6689.44 грн |
| 10+ | 5366.54 грн |
| 30+ | 5052.34 грн |
| 120+ | 4478.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF300AN NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET, 133V, 175°C, 272W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRF300AN за ціною від 4450.28 грн до 17728.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MRF300AN | Виробник : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 50V Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Electrical mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of transistor: RF |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| MRF300AN | Виробник : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 50V; TO247-3; THT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 50V Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Electrical mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of transistor: RF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| MRF300AN | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF300AN - HF-FET, 133V, 175°C, 272W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| MRF300AN |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||
 |
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MRF300AN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |