MRF300BN NXP Semiconductors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 3074.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF300BN NXP Semiconductors
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRF300BN за ціною від 2685.33 грн до 4388.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Frequency: 27MHz ~ 250MHz Power - Output: 300W Gain: 18.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Voltage - Test: 50 V |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MRF300BN |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |