MRF300BN NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF300BN NXP
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 272W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції MRF300BN за ціною від 5604.11 грн до 5604.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF300BN | NXP |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 133V Drain current: 30A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 10V Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||
| MRF300BN |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF300BN |
![]() |
Виробник: NXP
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 5604.11 грн |


