MRF300BN NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 27MHz ~ 250MHz
Power - Output: 300W
Gain: 18.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6623.49 грн |
| 10+ | 5311.63 грн |
| 30+ | 5000.13 грн |
| 120+ | 4431.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF300BN NXP USA Inc.
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET, 133V, 175°C, 272W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MRF300BN за ціною від 5706.00 грн до 17846.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF300BN | Виробник : NXP |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 133V; 30A; 272W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 133V Drain current: 30A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 10V Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| MRF300BN | Виробник : NXP |
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET, 133V, 175°C, 272W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 133V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 250MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| MRF300BN |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
MRF300BN | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
товару немає в наявності |