Продукція > NXP USA INC. > MRF300BN
MRF300BN

MRF300BN NXP USA Inc.

MRF300AN.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Frequency: 27MHz ~ 250MHz
Power - Output: 300W
Gain: 18.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - Test: 50 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6079.29 грн
10+4875.53 грн
30+4589.57 грн
120+4067.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF300BN NXP USA Inc.

Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MRF300BN за ціною від 5758.75 грн до 16554.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF300BN MRF300BN NXP 2645212.pdf Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16554.52 грн
5+14485.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF300BN NXP MRF300AN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+5758.75 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF300BN MRF300AN.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF300BN 2645212.pdf
MRF300BN
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF300BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF300AN; MRF300BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16554.52 грн
5+14485.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRF300BN MRF300AN.pdf
Виробник: NXP
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 133V; 30A; 272W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 133V
Drain current: 30A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+5758.75 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF300BN MRF300AN.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.