MRF5S21100HSR5 Freescale Semiconductor
Виробник: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 2.16GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 23W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.05 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF5S21100HSR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 273 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF5S21100HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF5S21100HSR5 | NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 273 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: NI-780S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF5S21100HSR5 |
|
Виробник: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 273 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz
Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 273 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz
Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)