MRF5S9150HR5 Freescale Semiconductor
Виробник: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 19.7dB
Power - Output: 33W
Frequency: 880MHz
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Bulk
Current - Test: 1.5 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 68 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF5S9150HR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S9150HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 869 MHz, 960 MHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 960MHz, Betriebsfrequenz, min.: 869MHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF5S9150HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF5S9150HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S9150HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 869 MHz, 960 MHz, NI-780tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 960MHz Betriebsfrequenz, min.: 869MHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF5S9150HR5 |
![]() |
Виробник: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S9150HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 869 MHz, 960 MHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 960MHz
Betriebsfrequenz, min.: 869MHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S9150HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 869 MHz, 960 MHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 960MHz
Betriebsfrequenz, min.: 869MHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)

