MRF6S19100HR3 NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF6S19100HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6S19100HR3 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.99GHz, Power - Output: 22W, Gain: 16.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Voltage - Rated: 68 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 900 mA.
Інші пропозиції MRF6S19100HR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S19100HR3 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.99GHz Power - Output: 22W Gain: 16.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 900 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF6S19100HR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 22W
Gain: 16.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 900 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 22W
Gain: 16.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 900 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.