MRF6S20010GNR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 10W
Gain: 15.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 130 mA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3764.35 грн |
| 10+ | 2975.22 грн |
| 25+ | 2813.03 грн |
| 100+ | 2472.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6S20010GNR1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Current - Test: 130 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 68 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-270-2 GULL, Technology: LDMOS, Gain: 15.5dB, Power - Output: 10W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-270BA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRF6S20010GNR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF6S20010GNR1 |
|
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| MRF6S20010GNR1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF6S20010GNR1 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W
RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.