MRF6S9130HSR5 Freescale Semiconductor
Виробник: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 880MHz
Power - Output: 27W
Gain: 19.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 950 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6S9130HSR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S9130HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 865 MHz, 960 MHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 960MHz, Betriebsfrequenz, min.: 865MHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MRF6S9130HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF6S9130HSR5 | NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S9130HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 865 MHz, 960 MHz, NI-780S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 960MHz Betriebsfrequenz, min.: 865MHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF6S9130HSR5 |
|
Виробник: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S9130HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 865 MHz, 960 MHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 960MHz
Betriebsfrequenz, min.: 865MHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S9130HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 865 MHz, 960 MHz, NI-780S
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 960MHz
Betriebsfrequenz, min.: 865MHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780S
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)