MRF6V12250HR5 NXP Semiconductors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28112.24 грн |
10+ | 26819.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6V12250HR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.03GHz, Power - Output: 275W, Gain: 20.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MRF6V12250HR5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
||
MRF6V12250HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |