Продукція > NXP USA INC. > MRF6V12500GSR5

MRF6V12500GSR5 NXP USA Inc.


Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780GS-2L
Current Rating (Amps): 200µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz ~ 1.215GHz
Gain: 19.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780GS-2L
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF6V12500GSR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780GS-2L, Current Rating (Amps): 200µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 960MHz ~ 1.215GHz, Gain: 19.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780GS-2L, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 200 mA.

Інші пропозиції MRF6V12500GSR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRF6V12500GSR5 NXP Semiconductors MRF6V12500H.pdf RF MOSFET Transistors Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V12500GSR5 NXP Semiconductors Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin CFM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V12500GSR5 MRF6V12500H.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V12500GSR5
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin CFM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.