MRF6V2010GNR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270G-2
Current - Test: 30 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 110 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-270G-2
Technology: LDMOS
Gain: 23.9dB
Power - Output: 10W
Frequency: 220MHz
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6V2010GNR1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270G-2, Current - Test: 30 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 110 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-270G-2, Technology: LDMOS, Gain: 23.9dB, Power - Output: 10W, Frequency: 220MHz, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA.
Інші пропозиції MRF6V2010GNR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V2010GNR1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 10W TO270-2GN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF6V2010GNR1 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 10W TO270-2GN
RF MOSFET Transistors VHV6 10W TO270-2GN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.