MRF6V2010NR1

MRF6V2010NR1 NXP Semiconductors


MRF6V2010N-1127132.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 10W TO270-2N
на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF6V2010NR1 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270AA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 220MHz, Power - Output: 10W, Gain: 23.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270-2, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 30 mA.

Інші пропозиції MRF6V2010NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NR1 Виробник : NXP Semiconductors 107576029867490mrf6v2010n.pdf Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin TO-270 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NR1 Виробник : NXP USA Inc. MRF6V2010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 220MHz
Power - Output: 10W
Gain: 23.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NR1 Виробник : NXP USA Inc. MRF6V2010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 220MHz
Power - Output: 10W
Gain: 23.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.