Продукція > NXP > MRF6V2150NBR1

MRF6V2150NBR1 NXP

MRF6V2150N%28B%29R1.pdf FSCLS05116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP
Транзистор полевой ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5680.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF6V2150NBR1 NXP

Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-272BB, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 450MHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 150W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-4, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 450 mA.

Інші пропозиції MRF6V2150NBR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF6V2150NBR1 MRF6V2150NBR1 Виробник : NXP Semiconductors 4866666398509mrf6v2150n.pdf Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2150NBR1 MRF6V2150NBR1 Виробник : NXP USA Inc. MRF6V2150N%28B%29R1.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-272BB
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 220MHz
Power - Output: 150W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 450 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2150NBR1 MRF6V2150NBR1 Виробник : NXP USA Inc. MRF6V2150N%28B%29R1.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-272BB
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 220MHz
Power - Output: 150W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 450 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2150NBR1 Виробник : NXP Semiconductors FSCLS05116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272BB
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 450MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 150W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 450 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2150NBR1 MRF6V2150NBR1 Виробник : NXP Semiconductors MRF6V2150N-3139090.pdf RF MOSFET Transistors VHV6 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.