MRF6V2150NBR1 NXP
Виробник: NXPТранзистор полевой ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5446.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6V2150NBR1 NXP
Транзистор полевой ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc.
Інші пропозиції MRF6V2150NBR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V2150NBR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R |
товар відсутній |
|
 |
MRF6V2150NBR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 |
товар відсутній |
|
|
|
MRF6V2150NBR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 |
товар відсутній |
|
 |
MRF6V2150NBR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 150W |
товар відсутній |