Технічний опис MRF6V2150NBR5 NXP Semiconductors
Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-272BB, Frequency: 220MHz, Power - Output: 150W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 450 mA.
Інші пропозиції MRF6V2150NBR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF6V2150NBR5 | Виробник : Freescale Semiconductor |
 Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA |
товару немає в наявності |
||
| MRF6V2150NBR5 | Виробник : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET |
товару немає в наявності |