MRF6V2150NR1

MRF6V2150NR1 NXP (VIA ROCHESTER)


2295164.pdf Виробник: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6V2150NR1 - MRF6V2150 - LATERAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+5551.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF6V2150NR1 NXP (VIA ROCHESTER)

Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270AB, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 220MHz, Power - Output: 150W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270 WB-4, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 450 mA.

Інші пропозиції MRF6V2150NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NR1 Виробник : NXP Semiconductors MRF6V2150N-1127340.pdf RF MOSFET Transistors VHV6 150W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NR1 Виробник : NXP Semiconductors 4866666398509mrf6v2150n.pdf Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-270 W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NR1 Виробник : NXP USA Inc. MRF6V2150N%28B%29R1.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270AB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 220MHz
Power - Output: 150W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 450 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.