Технічний опис MRF6V2300NBR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-272BB, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 220MHz, Power - Output: 300W, Gain: 25.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-4, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 900 mA.
Інші пропозиції MRF6V2300NBR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V2300NBR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA |
товару немає в наявності |
|
|
|
MRF6V2300NBR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA |
товару немає в наявності |
|
| MRF6V2300NBR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO272WB4N |
товару немає в наявності |