MRF6VP11KGSR5 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 110 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL
Technology: LDMOS (Dual)
Power - Output: 1000W
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 100µA
Package / Case: NI-1230-4S GW
Packaging: Bulk
Gain: 26dB
Frequency: 1.8MHz ~ 150MHz
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6VP11KGSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Current - Test: 150 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 110 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL, Technology: LDMOS (Dual), Power - Output: 1000W, Configuration: 2 N-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 100µA, Package / Case: NI-1230-4S GW, Packaging: Bulk, Gain: 26dB, Frequency: 1.8MHz ~ 150MHz.
Інші пропозиції MRF6VP11KGSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF6VP11KGSR5 | NXP / Freescale |
RF Bipolar Transistors VHV6 130MHZ 1000W NI1230 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF6VP11KGSR5 |
|
Виробник: NXP / Freescale
RF Bipolar Transistors VHV6 130MHZ 1000W NI1230
RF Bipolar Transistors VHV6 130MHZ 1000W NI1230
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.