MRF6VP2600HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 2.6 A
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 110 V
Supplier Device Package: NI-1230
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 125W
Configuration: Dual
Frequency: 225MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 20617.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6VP2600HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Current - Test: 2.6 A, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 110 V, Supplier Device Package: NI-1230, Technology: LDMOS, Gain: 25dB, Power - Output: 125W, Configuration: Dual, Frequency: 225MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MRF6VP2600HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6VP2600HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230 |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF6VP2600HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.