Продукція > MRF6VP2600HR6
MRF6VP2600HR6
Виробник:
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF6VP2600HR6
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 225MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 125W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 2.6 A.
Інші пропозиції MRF6VP2600HR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6VP2600HR6 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 225MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 2.6 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MRF6VP2600HR6 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 225MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 2.6 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF6VP2600HR6 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MRF6VP2600HR6 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 225MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 2.6 A
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 225MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 2.6 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MRF6VP2600HR6 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 225MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 2.6 A
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 225MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 2.6 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MRF6VP2600HR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.