Технічний опис MRF6VP2600HR6
Description: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 225MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 125W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 2.6 A.
Інші пропозиції MRF6VP2600HR6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MRF6VP2600HR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 225MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 2.6 A |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MRF6VP2600HR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 225MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 2.6 A |
товару немає в наявності |
|
MRF6VP2600HR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |