MRF7S19170HSR3 NXP Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10166.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF7S19170HSR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S, Packaging: Bulk, Package / Case: NI-880S, Frequency: 1.99GHz, Power - Output: 50W, Gain: 17.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880S, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
Інші пропозиції MRF7S19170HSR3 за ціною від 10404.56 грн до 14658.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRF7S19170HSR3 | NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| MRF7S19170HSR3 | Freescale Semiconductor |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Bulk Package / Case: NI-880S Frequency: 1.99GHz Power - Output: 50W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| MRF7S19170HSR3 | NXP |
Description: NXP - MRF7S19170HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF7S19170HSR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 14658.18 грн |
| MRF7S19170HSR3 |
|
Виробник: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-880S
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 50W
Gain: 17.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-880S
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 50W
Gain: 17.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10404.56 грн |
| MRF7S19170HSR3 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF7S19170HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRF7S19170HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)