Продукція > NXP USA INC. > MRF7S19170HSR5

MRF7S19170HSR5 NXP USA Inc.

MRF7S19170H%28S%29R3.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-880S
Technology: LDMOS
Gain: 17.2dB
Power - Output: 50W
Frequency: 1.99GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF7S19170HSR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S, Current - Test: 1.4 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-880S, Technology: LDMOS, Gain: 17.2dB, Power - Output: 50W, Frequency: 1.99GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-880S, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MRF7S19170HSR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRF7S19170HSR5 NXP / Freescale freescale_mrf7s19170h-1188111.pdf RF MOSFET Transistors HV7 1.9GHZ 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF7S19170HSR5 freescale_mrf7s19170h-1188111.pdf
Виробник: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors HV7 1.9GHZ 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.