Продукція > NXP USA INC. > MRF7S21080HSR3
MRF7S21080HSR3

MRF7S21080HSR3 NXP USA Inc.


MRF7S21080H%28S%29R3.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 800 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 22W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF7S21080HSR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 800 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780S, Technology: LDMOS, Gain: 18dB, Power - Output: 22W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MRF7S21080HSR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF7S21080HSR3 Виробник : NXP / Freescale MRF7S21080H-1127153.pdf RF MOSFET Transistors HV7 2.1GHZ 22W NI780HS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.