Продукція > NXP (VIA ROCHESTER) > MRF7S21110HR5

MRF7S21110HR5 NXP (VIA ROCHESTER)

4159000.pdf
Виробник: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21110HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz
Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF7S21110HR5 NXP (VIA ROCHESTER)

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21110HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MRF7S21110HR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MRF7S21110HR5 MRF7S21110HR5 NXP USA Inc. MRF7S21110H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.3dB
Power - Output: 33W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRF7S21110HR5 MRF7S21110H.pdf
MRF7S21110HR5
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.3dB
Power - Output: 33W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.