MRF8P20140WGHSR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 24W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF8P20140WGHSR3 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 24W, Gain: 16dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 500 mA.
Інші пропозиції MRF8P20140WGHSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF8P20140WGHSR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V |
товар відсутній |