Продукція > NXP USA INC. > MRF8P20140WHR3
MRF8P20140WHR3

MRF8P20140WHR3 NXP USA Inc.



Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 16dB
Power - Output: 24W
Configuration: Dual
Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF8P20140WHR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 500 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780-4, Technology: LDMOS, Gain: 16dB, Power - Output: 24W, Configuration: Dual, Frequency: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780-4, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MRF8P20140WHR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHR3 NXP Semiconductors MRF8P20140WH-1127032.pdf RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 24W NI780-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WH-1127032.pdf
MRF8P20140WHR3
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 24W NI780-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.