MRF8P20160HR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.92GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 37W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 550 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.92GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 37W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 550 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF8P20160HR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-4, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.92GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 37W, Gain: 16.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-4, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 550 mA.
Інші пропозиції MRF8P20160HR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF8P20160HR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 160W NI780H-4 |
товару немає в наявності |