MRF8S18210WGHSR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 30V NI880XS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-880XS-2 GW
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 50W
Gain: 17.8dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: NI-880XS-2 GULL
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.3 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF8S18210WGHSR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 30V NI880XS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-880XS-2 GW, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.93GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 50W, Gain: 17.8dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Supplier Device Package: NI-880XS-2 GULL, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 30 V, Current - Test: 1.3 A.
Інші пропозиції MRF8S18210WGHSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF8S18210WGHSR3 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 210W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF8S18210WGHSR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 210W
RF MOSFET Transistors HV8 1.8GHZ 210W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.