MRF8S19260HR6 Freescale Semiconductor
Виробник: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230
Current - Test: 1.6 A
Voltage - Test: 30 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI1230-8
Technology: LDMOS
Gain: 18.2dB
Power - Output: 74W
Configuration: Dual
Frequency: 1.99GHz
Package / Case: SOT-1110A
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF8S19260HR6 Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230, Current - Test: 1.6 A, Voltage - Test: 30 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI1230-8, Technology: LDMOS, Gain: 18.2dB, Power - Output: 74W, Configuration: Dual, Frequency: 1.99GHz, Package / Case: SOT-1110A, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MRF8S19260HR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF8S19260HR6 | NXP |
Description: NXP - MRF8S19260HR6 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRF8S19260HR6 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRF8S19260HR6 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRF8S19260HR6 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)